Samsung LSI produceert momenteel Snapdragon 820 van Qualcomm op zijn tweede generatie 14nm LPP FinFET-knooppunt, en het lijkt erop dat het Zuid-Koreaanse bedrijf ook een contract voor de 10nm Snapdragon 830 van volgend jaar heeft gepakt. Dat is volgens Korea's ET Nieuws, waarin staat dat de SoC zal worden gebruikt in de Galaxy S8. Samsung zal waarschijnlijk dezelfde strategie behouden die het volgde voor de Galaxy S7 en S7 edge, waarbij Amerikaanse modellen worden aangedreven door de Snapdragon 830, terwijl de wereldwijde versie zijn aanstaande Exynos 8895 heeft.
Net als de Snapdragon 830, zal de interne Exynos 8895 van Samsung ook gebaseerd zijn op het productieproces van 10 nm. ET News schrijft ook dat Qualcomm en Samsung werken aan de ontwikkeling van een FoPLP-technologie (Fan-out Panel Level Package) die de noodzaak elimineert van een printplaat voor het pakketsubstraat dat in de Snapdragon 830 en Exynos 8895 zal worden gebruikt.
We weten ook niet veel over SoC, maar het lijkt erop dat Samsung enorm hogere frequenties wil bereiken door naar 10 nm te gaan. Een Exynos 8895-lek uit augustus suggereert dat Samsung 4 GHz bereikt op zijn aangepaste Mongoose-kern en 2, 7 GHz bereikt op de Cortex A53-kern. Het zal interessant zijn om het soort prestatiewinst te zien dat Qualcomm bereikt met zijn Kryo CPU-implementatie.
